国家存储器基地项目二期于武汉开工 月规划产能

【科技前沿报道】武汉东湖高新区传来喜讯，国家存储器基地项目二期正式破土动工。这一重大项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金携手打造，旨在构建全球领先的3D NAND闪存芯片生产中心。

回溯至2016年底，国家存储器基地项目一期已经顺利启动，经过不懈努力，团队已经成功实现32层、64层存储芯片的量产，并震撼全球地推出了首款128层QLC三维闪存芯片。这一成就无疑标志着我国在存储器领域的重大技术突破。

现在，项目二期建设正式启动，总投资高达240亿美元。与一期注重技术研发不同，二期将更注重规模化生产，规划月产能达到惊人的20万片。整个项目两期完成后，月产能将飙升至30万片，这无疑是我国半导体产业的一次重大飞跃。

这一项目的推进，不仅彰显了我国在集成电路领域的雄厚实力，也展现了我国在科技领域的雄心壮志。我们有理由相信，随着国家存储器基地项目的不断深入，我国的半导体产业将在全球舞台上占据更加重要的地位。让我们共同期待这一项目未来的辉煌成果，期待我国在科技领域的更多精彩表现。