传美国打压华为致3nm工艺延期半年 台积电否认：

最近半导体市场上风云波诡，美国封禁华为、全球疫情导致经济下滑等因素影响着半导体发展前景，此前有传闻称台积电延期先进制程工艺，其中3nm延期了半年到明年Q1季度才试产，不过官方否认了这一消息。

台积电3nm是5nm之后的下一代节点，官方信息显示3nm工艺晶体管密度达到了破天荒的2.5亿/mm²，而5nm工艺不过是1.8亿/mm2，而3nm性能较5nm提升7%，能耗比提升15%。

工艺上，台积电评估多种选择后认为现行的FinFET工艺在成本及能效上更佳，所以3nm首发依然会是FinFET晶体管技术。

日前有传闻称，美国打压华为，导致先进工艺需求放缓，台积电不仅减少了7nm、5nm工艺的产能，3nm工艺也延期2个季度，到2021年Q3季度才会风险试产，整体进度也会晚上半年。

不过台积电今天否认传闻，表示一切按照计划进行，3nm工艺如期在2021年Q1季度试产，2022年下半年正式量产。