三星电子已在硅谷新设实验室 专注于下一代3D DRAM研发

自1993年以来，三星电子便以其卓越的技术实力和不懈的创新精神，成功占据全球DRAM市场的领先地位。长达三十年的时间里，其市场份额始终超越东芝，稳坐全球最大DRAM制造商的宝座。其市场份额之巨大，与其他厂商相比更是优势明显。

而这家不断创造历史的企业，并未满足于现有的成就。为了持续保持其在DRAM领域的领先地位，三星电子一直在致力于研发新技术和产品。最近，外媒报道指出，三星电子已在硅谷设立了新的研发实验室，专注于下一代3D DRAM的研发工作。这一实验室设立在设备解决方案部门美国分部的硅谷总部之下，由该部门首席技术官、半导体研发机构的主管Song Jae-hyeok亲自领导。

报道中提到，这个新设立的实验室将致力于研发更先进的DRAM产品，致力于引领全球的3D存储芯片市场。作为全球最大的存储芯片制造商，三星电子早在2013年就已率先将3D垂直结构NAND闪存芯片商业化。如今，他们更是计划将这种创新的3D结构应用于DRAM，进一步提升单颗芯片的容量至100G以上。

在去年10月，三星电子曾表示他们正计划将新的3D结构技术应用于10nm及以下制程工艺的DRAM。而在去年于日本举行的“VLSI 研讨会”上，三星电子更是展示了他们的研究成果，并分享了详细的3D DRAM图像。这个新实验室的设立无疑将加速他们的研发进程，引领存储芯片行业迈向新的高度。三星的这一系列动作充分展示了其在技术创新和市场领导地位上的决心和实力。