下半年存储器涨势迎拐点：2025全年价格涨幅仍十

市场调研机构IC Insights近期的报告揭示了一个引人注目的趋势：在半导体市场中，DRAM和NAND型闪存的销售业绩在2017年达到了历史最高点。这一年，它们的销售额飙升，背后的主要推手是价格的大幅上涨。尽管NAND闪存的出货量仅增长2%，但其正面效应推动了存储器市场的销售额刷新纪录。

这一波存储器的价格上涨始于两年前的第二季度，而到了去年上半年，价格一路高歌猛进。从数据图中可以清晰地看到，从2016年第三季度到2017年第二季度，DRAM的价格季度平均增长率达到了惊人的16.8%，而NAND闪存的价格季度平均增长率也达到了11.6%。这种增长趋势在业界引起了巨大的反响。

随着从2016年第三季度开始DRAM平均售价的飙升，DRAM制造商们开始了新一轮的投资周期。不同于过去的是，这一次他们的投资主要用于技术的升级，而非盲目地扩大产能。这表明制造商们对于市场趋势有着清晰的判断，并且正在寻求更高效、更前沿的生产方式。

据IC Insights预测，闪存厂商在今年的资本支出大部分都将投入到3D NAND工艺技术上。以三星为例，为了提升其在韩国平泽市的巨型新工厂的产能，其在NAND闪存上的资本支出将同比大幅上升。整个行业都在积极布局，从三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝/闪迪，到武汉新芯/长江存储，甚至可能出现新的中国资本支持的新玩家，未来几年3D NAND闪存的产能出现过剩的可能性非常高。这无疑给市场带来了一定的风险和挑战。

根据IC Insights的数据，虽然DRAM的平均售价增长率峰值出现在2016年第四季度，但直到2017年第二季度，价格依然保持强劲的增长势头。市场预测也显示，这一轮涨价周期即将结束，2017年第三季度DRAM价格可能将维持稳定，但第四季度可能出现微跌。尽管如此，预计全年DRAM价格的涨幅仍将高达63%，这是自1993年IC Insights开始追踪DRAM市场数据以来的最高涨幅。

与此NAND闪存2017年的价格涨幅也将达到创纪录的33%。与历史数据相比，如2000年NOR型闪存主导市场时的平均售价一年涨幅52%，当前的NAND闪存涨幅虽高，但仍显逊色。这反映了市场格局和技术进步对产品价格的影响。虽然存储器市场面临诸多不确定性和风险，但未来的发展前景依然广阔。