三星和 SK 海力士改进 HBM 封装工艺 即将量产 12 层产品

据韩国The Elec报道，三星电子与SK海力士正在全力加速推进其前沿技术的创新步伐，特别是他们在12层高性能带宽内存（HBM）生产方面的努力尤为引人注目。随着生成式人工智能的火热发展，对于能支持其数据处理需求的高性能内存解决方案的需求也随之激增，其中就包括HBM内存。

目前市场上主流的HBM堆叠技术已经能够达到8层，三星电子与SK海力士并未止步于此。他们正积极采用最新的混合键合（Hybrid Bonding）封装工艺，力求突破当前的技术瓶颈。与传统的热压粘合（TCB）和批量回流焊（MR）工艺相比，Hybrid Bonding不仅能解决发热和封装高度的问题，而且具有更高的效率和性能表现。

Hybrid Bonding工艺的核心在于其独特的贴合方式。除了铜bump完成键合之外，该工艺还实现了两个Chip面对面之间的其他非导电部分的紧密贴合。通过这种方式，Hybrid Bonding成功实现了芯粒与芯粒或wafer与wafer之间的无缝连接，完全消除了空隙，从而无需使用环氧树脂填充。这无疑为高性能计算和数据处理提供了全新的视角和解决方案。

在三星电子和SK海力士等领先企业的努力下，他们已经成功克服了种种技术挑战，成功扩展了TCB和MR工艺的应用范围，实现了最高可达12层的HBM堆叠。采用这种新工艺后，输入/输出（IO）吞吐量得到了显著提升，能够在极小面积内实现大量通孔的连接，进一步提升了数据处理能力。这一重大突破无疑为未来的计算技术和人工智能发展铺平了道路。