全球首款、突破300层SK海力士官宣321层NAND闪存开始量产

在科技的巨潮中，SK海力士继续开辟其独特的赛道，带来了另一令人振奋的消息。就在不久前，他们正式宣布，已经成功开始量产全球首款搭载321层技术的1TB TLC 4D NAND闪存。这一跨越式的进展标志着存储技术的新里程碑。

SK海力士自豪地表示，从2023年6月开始，公司已经大规模生产上一代238层NAND闪存产品并供应市场。而如今，这款全新的321层NAND闪存不仅打破了技术的界限，更是首次实现了超过300层的NAND闪存量产。这不仅是一项技术的突破，更是对未知领域的勇敢探索。

面对市场的需求，公司计划从明年上半年开始，向全球客户提供这款革命性的产品。在产品研发过程中，SK海力士充分利用了与上一代产品相同的开发平台，最大限度地减少了工艺切换所带来的影响，令人惊叹地将生产效率提高了59%。

这款新品的问世不仅提升了数据传输的速度和读取性能，更实现了数据读取能效的大幅提升。相较于上一代产品，其数据传输速度和读取性能分别跃升了高达12%和13%，数据读取能效也提升了超过10%。这些数字不仅反映了技术的进步，更是实力的证明。

SK海力士NAND开发负责人Jungdal Choi对此次进展充满自信，他表示：“最新的突破使我们公司在AI存储市场的领导地位愈发稳固。无论是AI数据中心还是设备端AI的SSD，我们都已经准备好迎接新的挑战。”这一激动人心的进展无疑预示着未来更多的惊喜与突破。