国产光刻机取得重大进展 氟化氩光刻机套刻≤8nm

在最近公布的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》中，工业和信息化部揭示了国产光刻机取得的重大突破。这次突破以氟化氩光刻机为中心，它的套刻精度已经惊人地达到了≤8纳米。这一跃进的成就不仅展示了我国科技实力的飞速提升，更是对全球半导体制造领域投下了一颗震撼弹。

这份目录详尽地列出了氟化氩光刻机的其他核心技术指标，其中包括晶圆直径为300毫米，照明波长为193纳米，分辨率精细至≤65纳米。另一种氟化氪光刻机也出现在目录中，其晶圆直径同样为300毫米，照明波长为248纳米，分辨率提升至≤110纳米，套刻精度更是达到了惊人的≤25纳米。

除了光刻机，这份指导目录中还涵盖了众多集成电路生产装备，包括硅外延炉、湿法清洗机、氧化炉等。其中涉及的芯片生产关键设备如刻蚀机、涂胶显影机、高能离子注入机等也均取得了显著进展。这些设备的突破意味着我国芯片制造商现在可以使用更先进、更国产化的设备，这无疑极大地推动了芯片产业链的国产化进程，提升了国产芯片的生产水平和供应保障能力。

工信部公布的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》共涵盖了15大类重大技术装备。除了令人瞩目的光刻机突破外，还包括高端工业母机、高端医疗装备以及精密仪器仪表等领域的发展。这些进步标志着我国在多个科技领域都正在稳步前行，不断向世界科技前沿迈进。（海蓝）