三星FinFET技术侵权案宣告和解：Intel此前已付钱

在当下晶圆代工领域中，鳍式场效应晶体管（FinFET）堪称明星技术，其光芒璀璨，台积电已计划将其一路沿用至3nm时代。背后隐藏着一段关于FinFET专利的纷争故事，三星在这其中历经波折，直到最近才尘埃落定。

这场纷争的源头来自韩国科学技术院（KAIST），该院在2001年便在美国和韩国提交了与FinFET技术相关的专利。这项技术的诞生，源于韩国科学技术院与首尔大学教授Lee Jong-ho的紧密合作。

2016年11月29日，韩国科学技术院在美国德克萨斯州对三星、高通和格芯（GlobalFoundries）发起了FinFET专利侵权的诉讼。传闻中，Intel早已支付过相关的“保护费”，以维护自身权益。

纷争愈演愈烈。2018年6月及2019年2月，KAIST接连两次对三星提起诉讼，声称后者的7nm、8nm、10nm、11nm、14nm手机应用处理器均涉及专利侵权，赔偿金额高达4亿美元。这场官司历经波折，最终在今年的2月，法院判令三星赔偿2亿美元。

如今，这场旷日持久的专利纠纷终于和解，虽然和解的细节尚未公开，但对于整个行业来说无疑是一次重大利好。毕竟，这对于推动科技创新、保护知识产权具有重大意义。也期待未来三星与KAIST能够在FinFET等核心技术上展开更多合作，共同推动全球半导体行业的发展。