SK海力士：正积极争取为无锡存储工厂引进EUV光刻

韩国半导体工业协会在其成立三十周年的纪念活动中，于本月二十二日在首尔盛大举办了一系列活动。其中备受瞩目的焦点之一就是SK海力士的首席执行官Seok-hee Lee（李锡熙）与媒体的交流环节。这次交流，为我们带来了关于无锡海力士半导体工厂的消息。

面对关于EUV光刻机可能延迟进厂的问题，李锡熙表示，SK海力士正在与美方紧密合作，并且合作进展顺利。他透露，EUV光刻技术已在韩国的本土DRAM生产线上成功应用，而中国工厂还有足够的时间进行调试和准备。

这位CEO还提到，SK海力士正计划利用EUV光刻技术制造第四代的10nm DRAM芯片。其位于无锡的工厂也将应用这一先进技术，尽管面临一些挑战和困难，但正在积极寻求解决方案。毕竟，无锡海力士工厂是SK海力士在全球布局中的重要一环，其DRAM产能约占全球产能的15%。

值得一提的是，作为韩国半导体产业的领军企业，SK海力士一直保持着在全球半导体市场中的领先地位。这次交流环节也充分展示了公司在面对挑战时的决心和毅力。无论是面对技术难题还是市场变化，SK海力士都展现出了强烈的竞争意识和创新精神。这次纪念活动无疑也向世界宣告了韩国半导体工业的崛起和持续发展的决心。

这次活动不仅是对韩国半导体工业协会三十年成就的庆祝，更是对未来发展的展望和规划。相信在不久的将来，SK海力士将会继续引领全球半导体产业的发展潮流。