传台积电N3E工艺进展顺利，量产节点提前

摩根斯坦利独家：台积电领先业界，即将完成先进3nm工艺的重大跃迁

近日，国际知名投行摩根斯坦利深入走访了半导体设备供应商，挖掘出业界巨头台积电的研发动态。据知情人士透露，台积电正在冲刺完成其改进版3纳米工艺N3E的研发工作，有望在本月底实现工艺规范冻结，标志着这一技术迈入量产前的关键阶段。

这一进展的曝光，不仅展示了台积电在半导体制造领域的领先实力，也预示着基于N3E工艺的产品大规模量产将在不久的将来实现。据可靠消息，这一时间点可能提前至2023年第二季度，较此前规划提早一个季度，展现出业界对台积电的高度期待和信心。

更令人振奋的是，N3E工艺的试产良率远高于预期的N3B。在减少四层EUV掩膜的情况下，逻辑电路密度仅较原先的N3工艺轻微下降8%，相较于5纳米节点仍有显著提升，提升了高达60%。这不仅体现了台积电在工艺技术上的深厚积累和创新能力，也为整个半导体行业的发展注入了新的活力。此次技术的重大突破有望推动电子设备性能的大幅提升，为用户带来更加出色的产品体验。随着N3E工艺的量产落地，业界对半导体未来的发展和应用充满期待。台积电凭借其卓越的技术实力和前瞻的战略布局，将继续引领全球半导体产业的发展方向。这一重要时刻，无疑将成为半导体历史上的一个重要里程碑。