替代部分美系设备成功长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片

长江存储面临压力，创新突破！

9月20日最新消息，在面临美国出口限制和国际实体清单的双重压力下，长江存储展现出惊人的自主创新力量。成功采用国产半导体设备替代部分美系设备，逆境中展现出顽强的生命力。

长江存储自研的Xtacking架构技术，成功实现了对3D NAND层数的堆叠提升至前所未有的高度——高达232层。这一重大突破，即使在业界巨头如美光、三星和SK海力士面前也毫不逊色，凸显出其在技术领域的竞争优势。

据悉，长江存储已经携手国内顶级设备制造商，包括中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的沉积与蚀刻设备以及拓荆科技的沉积设备，共同研发制造出高性能的3D NAND闪存芯片。这一合作成果充分展示了中国半导体产业的强大潜力。

据TechInsights报道，虽然长江存储在关键工具上仍依赖ASML和泛林集团等国际供应商，但国内供应商已逐渐承担生产流程的大部分环节。值得注意的是，长江存储最新使用国产设备生产的NAND芯片在堆叠层数上虽然较早期产品有所妥协，减少了约70层，且产量较低，但这只是暂时的。

对此，长江存储回应称，公司正在积极优化产品性能，层数的变化与设备产量并无直接关联。随着其在制造工艺、流程以及经验上的不断成熟，相信长江存储将会不断提升堆叠层数，持续推动技术创新。这一消息不仅彰显出长江存储的坚定信心，也让我们更加期待其在未来的表现。