高通或与三星合作第二代3nmGAA工艺将于2024年量产

三星近日开始交付首批先进的3nm GAA芯片，但智能手机芯片市场并未立即为其瞩目。相反，众多供应商依然积极与竞争对手台积电洽谈未来合作订单。据半导体、移动与无线行业分析师Sravan Kundojjala在Twitter上的预测，这一局面有望在2024年发生转变。

值得关注的是，据WCCFTech报道，三星的首批3nm GAA芯片被交付给了加密货币挖矿行业。这一动态引发了行业内外的广泛关注。

至今未有消息显示，这家韩国芯片代工巨头参与智能机SoC的开发工作，这可能意味着三星可能不会为Galaxy S23系列开发Exynos 2300芯片组。尽管如此，先前由于4nm制程良率问题，高通在骁龙8 Gen 1遭遇挫折后选择了与台积电合作制造骁龙8+ Gen 1芯片组。

虽然三星没有公布关于其4nm节点具体的数据差异，但相较于该公司的5nm工艺，第二代3nm GAA技术有望大幅降低高达50%的功耗，同时提升约30%的性能表现，并减少约35%的芯片面积占用。这无疑是一个令人振奋的进步。

受到这些积极因素的影响，高通与三星可能会重新建立关于3nm GAA芯片代工的合作关系，前提条件是台积电的3nm工艺遇到良率挑战或其他相关问题。这一领域的竞争与合作动态将持续吸引业界关注。