英伟达和AMD的下一代人工智能GPU将主要搭配HBM3内存

前瞻报告指出，下一代高性能内存技术——HBM3及HBM3e，正在引领人工智能GPU市场的新一轮变革。随着企业界对集成DRAM技术的兴趣日益浓厚，这一趋势愈发明显。现有的英伟达旗舰产品A100和H100 GPU已分别采用了HBM2e和HBM3技术，这两款产品分别于2018年和2020年面世。

在众多制造商中，美光、SK海力士以及三星正全力研发，为大规模生产速度更快的新型HBM3内存做准备。值得注意的是，不久之后，这一技术将成为新的行业标准。

关于HBM3的细节，有一个鲜为人知的亮点。TrendForce强调，这种内存将以多种形式出现。低端版本将以5.6至6.4 Gbps的速度运行，而高端版本的速度将超过8 Gbps，高端型号还将有诸如"HBM3P、HBM3A、HBM3+和HBM3 Gen2"的命名。

预测显示，HBM行业的市场份额将迎来显著增长，而SK海力士已在这一领域取得领先地位。未来的AMD MI300 Instinct GPU和英伟达H100 GPU都将采用先进的HBM3技术。尤其值得关注的是，SK海力士已经走在前列，现已进入制造阶段，并收到来自英伟达等公司的样品请求。

尽管美光已公布其未来的HBM4设计蓝图，但这仍需等到遥远的2026年。预计在未来几年内，即将推出的英伟达Blackwell GPU（代号为GB100）很可能会采用速度更快的HBM3变体。而采用第五代工艺技术（10纳米）的HBM3E内存也预计在2024年上半年开始量产，三星和SK海力士等制造商都在为生产做好准备。

SK hynix已经率先推出了12层结构的HBM3内存，每层容量高达24 GB，并已向客户提供样品。与此三星和美光等竞争对手也在积极追赶。据传，三星正在与英伟达紧密合作，为其提供晶圆和内存采购建议。美光则与台积电携手，成为英伟达GPU的内存供应商。随着人工智能产业的快速发展和竞争的不断加剧，这些技术革新将推动整个行业的创新步伐。