AI 火热催生 HBM 需求 消息称三星电子有意引入 SK 海力士使用的 MUF 封装工艺

据路透社报道，三星电子决定采用竞争对手SK海力士主导的MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封装工艺，摒弃之前坚持使用的非导电薄膜（NCF）技术。这一决策背后，显现出三星为提BM良率的决心。

知情人士透露，三星已发出采购MR-MUF技术设备的订单。这一转变被视作三星抛弃自尊心的决定，因为它相当于效仿了SK海力士的行为。对于三星而言，这是必要的进步。

有分析师指出，三星的HBM3芯片生产良率仅为10-20%，而SK海力士的HBM3生产良率则高达60-70%。随着AI行业的蓬勃发展，市场对HBM3和HBM3E的需求日益增加，三星必须迅速采取行动。

消息人士还称，三星正在与包括日本长濑集团在内的材料供应商洽谈采购MUF材料的事宜。尽管使用这一技术的高端芯片最早要到明年才能实现量产，但三星已经迈出了重要的一步。值得一提的是，长濑产业株式会社是拥有近200年历史的日本十大商社之一，是全球最大的专业化工商社之一。

对于这一消息，三星回应称，其内部开发的NCF技术仍是适用于HBM产品的“最佳解决方案”，并将用于其HBM3E芯片。未来，“将按照计划推进HBM3E产品业务”。英伟达和长濑集团对此拒绝置评。这一变革将在半导体市场上引发怎样的涟漪，还需拭目以待。