马上2023了，我国光刻机发展的怎么样了？

作为一名深耕半导体领域20年的专家，我关注到国产光刻机的发展以及上海微smee的最新进展。根据smee此前的消息，2022年底将完成193nm ArF准分子激光浸润式光刻机的样机制作，那么现在项目进展如何呢？

在此，先和大家聊聊美国与荷兰针对asml售中光刻机的谈判对国产光刻机市场的影响。这场谈判无疑将决定未来中国芯片产业的命运。荷兰在这场谈判中扮演的角色，可能是中国芯片产业的白马骑士，也可能是索命死神。这场光刻机的谈判，是国内芯片行业生死存亡的分水岭。

从彭博社的报道中了解到，荷兰外贸与发展合作部长施赖纳马赫尔在与美国及其他盟国的贸易规则谈判中，就阿斯麦向中出售芯片设备问题上的立场非常明确。他强调要捍卫自己的利益和国家安全，同时也要考虑经济利益。如果荷兰在这次谈判中做出决定，可能会直接影响到asml的市场预估。

asml的市场预估图中显示，到2025年，asml的低标和高标市场目标主要集中在浸没式duv和干式duv的销量上。其中，干式duv的销量高低标准相差较大，这主要是因为中国市场的影响。此次美荷谈判的重点就是193nm ArF dry光刻机，如果这类型设备不能卖给中国，对asml来说将是一个巨大的损失。

那么，国产光刻机在这种情况下能否拯救中国半导体行业呢？我们需要了解国产光刻机的现状。据我所知，国产光刻机在技术上有了一定的突破，上海微smee等企业的努力让我们看到了希望。我们还需要清醒地认识到，与发达国家相比，我们仍然存在一定的差距。我们不能过于乐观，也不能放弃努力。

在这场大屠杀般的全球半导体竞争中，我们必须紧密关注美荷等国的动态，同时加大自主研发力度，提高国产光刻机的技术水平。只有这样，我们才能在未来的竞争中立于不败之地。让我们共同期待国产光刻机能够早日取得更大的突破，为中国半导体行业的发展贡献力量。对于光刻机技术，我们应保持理性态度，正确看待其研发进展与难点。对于某些宣称已经取得技术突破的观点，我们应审慎对待，避免盲目乐观。事实上，光刻机的研发是一个长期、复杂的过程，需要不断积累经验和优化技术。任何技术的成功都需要经过严格的验证和测试，包括在生产线上的实际应用。我们不能仅仅因为一台设备通过了验收就盲目乐观地认为我们已经掌握了这项技术。更何况，国产光刻机仍然面临诸多挑战和困难，需要我们继续努力。对于美国商务部调查一事，我们应保持透明度和开放态度，主动提供一切证据来证明自己的合规性。我们也要加强行业内的交流和合作，共同推动技术的发展和进步。关于某些企业宣称的技术突破和保密问题，我们应保持理性和客观态度，避免被不实宣传误导。我们应该鼓励和支持技术的研发和创新，但同时也需要警惕那些缺乏实证和科学依据的虚假宣传。让我们共同期待我国在光刻机技术领域取得更多的进展和突破！国产芯片设备：突破现状，正视现实

在半导体制造领域，除了光刻机外，其他关键设备的国产化进展也备受关注。蚀刻设备（etch equipment）作为半导体制造中的核心环节之一，与沉积和光刻并列，其门槛高、投入大、技术难度高。特别是在工艺进入5nm及以下的时代，蚀刻技术的重要性愈发凸显。

蚀刻技术在存储器制造中扮演着越来越重要的角色，尤其在NAND领域。随着层数的增加，对蚀刻技术的宽深比要求也越来越高。目前，全球领先的设备供应商如LAM、AMAT等已经能够提供高性能的蚀刻设备，而国内的中微公司也在努力追赶，推出了高宽深比的设备。尽管取得了这样的进展，我们仍需正视其在实际应用中的挑战和差距。

从某厂的蚀刻设备清单中可以看出，Dryetch作为蚀刻的一种重要方式，分为ICP和CCP两大类。中微在某些领域已经取得了一定的突破，例如在CCP领域占据了某FAB的1/3份额。在门槛更高的ICP领域，中微仍面临巨大的挑战，几乎被LAM垄断。即便是中微在CCP领域的突破，也主要集中在相对容易的部分。

随着制程的先进化，蚀刻的制程步骤呈等比级数上升。在先进的制程节点，如5nm，蚀刻的次数惊人地达到250次。每一次刻蚀都必须达到惊人的精度。这其中的技术难度超乎许多人的想象。即使是业内资深人士也很难全面评估其难度。尽管如此，作者仍然认为，通过持续的努力和投入，最终我们能够实现技术的突破。这一过程可能需要数年时间，并且面临诸多挑战。

关于国产蚀刻设备达到28nm芯片生产水平的时间预估，作者认为最快也需要6年。这其中最大的挑战是良率问题。没有持续的试错和改进，很难实现技术的突破。即便是在国内尝试解决这一问题，也需要大量的时间和资源投入。与此我们不能忽视与国际先进水平的差距。即便是在2030年，我们可能仍然面临生产落后技术的局面。

除了蚀刻设备外，其他关键设备的国产化也面临类似的挑战。尽管国内企业在某些领域已经取得了一定的进展，但整体而言，芯片生产线的国产化率仍然只有可怜的15%。想在短时间内完全补齐剩下的85%是不切实际的。我们需要正视现实，认识到技术进步的复杂性和长期性。我们也需要保持信心，持续投入研发，努力追赶国际先进水平。只有这样，我们才能真正实现国产芯片的崛起。在当下我国芯片产业的紧迫时刻，我们必须正视挑战并采取切实行动。眼前的首要任务，是在量产工厂中全面调试设备，构建一条坚实的国产芯片量产线。我们不能再容忍实验线或者各自为政的设备局面，必须摒弃过去那种各自吹嘘、工艺无法衔接的状况。

无论是smic还是ymtc，亦或是国产设备厂商，都需要将生产销售暂时放在次要位置，转而专注于国产设备的实际应用与改进。特别是ymtc二厂，既然美国设备已全面断供，我们不妨借此机会全力攻关国产设备，将这座工厂变成试验田。在国家的支持下，我们有必要把调试出全国产设备的真正量产线作为首要任务。

此刻，应派遣所有国产设备商的工程师进驻ymtc的工厂，真实反馈设备的性能与能力，实实在在地在一个生产线上进行实战操作。我们需要揭露那些夸大宣传、忽悠的厂商，揭穿他们的真面目。长期以来，国产设备的最大问题在于厂商报喜不报忧，为了补贴而搞形式、玩文字游戏。这种状况必须得到改变。

这一次的ymtc新厂建设为我们提供了一个绝佳的机会。我们将用国产设备替代美国设备，然后在这个真实的生产环境中检验国产设备的实际表现，看看哪些厂商在真正面对挑战时能够有所突破。这个过程将不容许任何混水摸鱼的行为，每一个参与者都必须全力以赴。我们不怕失败和错误，我们会一直生产坏片、一直试错、一直改良，直到成功为止。

对于smee光刻机这样的问题，我们必须坚决杜绝其再次发生。现在我们已经到了危急存亡的关头，所有设备商必须集中在一个生产线上，一道接一道工序地运行，直到生产出芯片。我们不能眼高手低，先从28nm开始，如果无法实现，那么90nm、0.13或0.18μm也都是可以的。我们的目标是构建一条实实在在的全国产芯片生产线，针对任何问题，我们都要找出解决方案并攻克它。我们需要时间，需要经验，但我们不能一步登天。如果能够通过这样的努力取得成功，那将证明我们的工程师具备真正的实力与决心。

对于中国的半导体行业，我认为我们既要积极进取，也要韬光养晦。在合适的时机进攻，在合适的时机防守，做到攻防有序才是真正的智慧。