SK海力士：正积极争取为无锡存储工厂引进EUV光刻

本月22日，韩国半导体工业协会成立30年纪念活动在首尔举办。

与会期间，SK海力士CEO Seok-hee Lee（李锡熙）和媒体交流时谈到了无锡海力士半导体工厂相关情况。

关于EUV光刻机进厂可能延期的问题，李锡熙表示，正与美方合作，进展良好。EUV光刻技术已经在韩国本土的DRAM产线上应用，中国工厂还有充足的时间供斡旋沟通。

据悉，SK海力士将基于EUV光刻机制造10nm DRAM芯片，也就是第四代内存。无锡工厂同样计划应用相关技术，目前正寻求多种途径克服困难，毕竟它是一家韩国企业。

资料显示，无锡海力士工厂的DRAM产能大约占SK海力士全球产能的15%。