台积电3nm制程工艺取得突破 将于8月投产3纳米芯

据联合报报道，台积电3纳米芯片研发近期获得突破，该公司决定8月以第2版3纳米制程工艺投产。

报道称，一度因开发时程延误的台积电3nm制程近期获得重大突破，延误曾导致苹果公司新一代处理器仍采用5nm加强版N4P。台积电决定今年率先量产第二版3nm 制程N3B，将于今年8月于新竹12厂研发中心第八期工厂及南科18厂 P5厂同步投片，正式以鳍式场效晶体管（FinFET）架构，对决三星的环绕闸极(GAA)制程。

台积电的3nm 制造工艺仍将在今年晚些时候投入生产。进入生产的变体被称为“N3B”，Digitims 预计初始产量将在每月4万至5万片之间。“N3B”之后，很快就会有一个被称为“N3E”的高级变体，预计将在2023年投入生产。